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Prom
Por sus siglas en ingles Programmable Read-only Memory (Memoria de Lectura Programable).
Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible. que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una sola vez a través de un dispositivo especial.
La memoria PROM fue inventada en 1956 por Wen Tsing Chow, trabajando para la American Bosch Arma Corporation en Garden City, Nueva York. -
EPROM
Por sus siglas en Ingles Erasable and Programmable Read-only Memory ( Memoria borrable y programable de solo lectura) Inventada por Dov Frhoman en 1971
Es una memoria que se modifica con poca frecuencia y su carga electrostatica atrapada en la celda del trastistor que es entre 12-25 v y se almacena 1 o 0 en la celda.
Los datos se graban por 10 años o mas y para el borrado se necesita usar luz Ultravioleta. -
EEProm
Por sus siglas en ingles Electrically Erasable and Reprogrammable ( Eléctricamente borrable y reprogramable)
Fue inventada por George Perlegos en 1978 a diferencia de la EPROM esta borra datos con carga de voltaje. el efecto se llama tunneling y es un efecto cuantico mecanico que transporta electrones en la capa aislante cuando se borra -
Memoria Flash
Fue Creada por Fujio Masuoka (Toshiba) en 1980 esta echa de silicon oxynitrado es una capa aislante de 10 nanometros de espesor. Es un tipo de memoria EEPROM que se programa por medio de que la carga sobre la floating gate estalla sobre la capa silicon oxynitrado por medio de electrones de tunelizacion
Puede borrar por bloques de 1 a 1024 bytes y su vida util es 10,000 ciclos
