EVOLUCION DE LAS MEMORIAS

  • memoria de sólo lectura en forma de tarjetas perforadas .

    memoria de sólo lectura en forma de tarjetas perforadas .
    Charles Babbage empieza a construir su "máquina analítica", precursora de la computadora. It uses read-only memory in the form of punch cards . Utiliza memoria de sólo lectura en forma de tarjetas perforadas .
  • Period: to

    EVOLUCION DE LAS MEMORIAS

  • Memoria de tambor en Austria.

    Memoria de tambor en Austria.
    Gustav Tauschek inventa memoria de tambor en Austria.
  • Konrad Zuse solicita una patente para su memoria mecánica que se utilizará en su equipo.

    Konrad Zuse solicita una patente para su memoria mecánica que se utilizará en su equipo.
    Konrad Zuse solicita una patente para su memoria mecánica que se utilizará en su equipo. This computer memory is based on sliding metal parts. Esta memoria de la computadora se basa en las partes metálicas de deslizamiento
  • Helmut Schreyer inventa una memoria prototipo utilizando las lámparas de neón.

    Helmut Schreyer inventa una memoria prototipo utilizando las lámparas de neón.
    Helmut Schreyer inventa una memoria prototipo utilizando las lámparas de neón.
  • El ordenador Atanasoff-Berry tiene 60 palabras de 50 bits de la memoria en forma de condensadores montado sobre dos tambores giratorios.

    El ordenador Atanasoff-Berry tiene 60 palabras de 50 bits de la memoria en forma de condensadores montado sobre dos tambores giratorios.
    El ordenador Atanasoff-Berry tiene 60 palabras de 50 bits de la memoria en forma de condensadores montado sobre dos tambores giratorios. For secondary memory it uses punch cards. Para la memoria secundaria que utiliza tarjetas perforadas.
  • Frederick Viehe de Los Angeles, solicita una patente para una invención que utiliza la memoria de núcleos magnéticos.

    Frederick Viehe de Los Angeles, solicita una patente para una invención que utiliza la memoria de núcleos magnéticos.
    Frederick Viehe de Los Angeles, solicita una patente para una invención que utiliza la memoria de núcleos magnéticos. Magnetic drum memory is independently invented by several people. Memoria de tambor magnético es independiente inventado por varias personas.
    •An Wang An Wang
    An Wang invented the magnetic pulse controlling device, the principle upon which magnetic core memory is based. An Wang inventó el dispositivo de control de impulsos magnéticos, el principio sobre el que se basa la memori
  • Jay Forrester concibe la idea de memoria de núcleos

    Jay Forrester concibe la idea de memoria de núcleos
    Jay Forrester concibe la idea de memoria de núcleos magnéticos, ya que es llegar a ser de uso común, con una red de cables utilizados para hacer frente a los núcleos. The first practical form manifests in 1952-53 and renders obsolete previous types of computer memory. La primera forma práctica se manifiesta en los años 1952-53 y convierte en letra muerta los anteriores tipos de memoria de la computadora.
  • Ferranti Ltd. finaliza la primera computadora comercial con 256 palabras de 40 bits de memoria principal y 16K palabras de memoria de tambor

    Ferranti Ltd. finaliza la primera computadora comercial con 256 palabras de 40 bits de memoria principal y 16K palabras de memoria de tambor
    Ferranti Ltd. finaliza la primera computadora comercial con 256 palabras de 40 bits de memoria principal y 16K palabras de memoria de tambor. Only eight were sold. Sólo ocho fueron vendidos.
  • Jay Forrester presenta una patente para la memoria de núcleo matriz.

    Jay Forrester presenta una patente para la memoria de núcleo matriz.
    Jay Forrester presenta una patente para la memoria de núcleo matriz.
  • Un módulo de memoria de base se añade a la ENIAC ordenador.

    Un módulo de memoria de base se añade a la ENIAC ordenador.
    El ordenador EDVAC se completa con 1.024 palabras de 44 bits de memoria ultrasónica. A core memory module is added to the ENIAC computer. Un módulo de memoria de base se añade a la ENIAC ordenador.
  • An Wang fue emitido patente de EE.UU. 2.708.722 # 34 con las reclamaciones de núcleo de la memoria magnética.

    An Wang fue emitido patente de EE.UU. 2.708.722 # 34 con las reclamaciones de núcleo de la memoria magnética.
  • Hewlett-Packard releases their HP2116A real-time computer with 8K of memory. Hewlett-Packard lanza su HP2116A

    Hewlett-Packard releases their HP2116A real-time computer with 8K of memory. Hewlett-Packard lanza su HP2116A computadora en tiempo real con 8K de memoria. The newly formed Intel starts sell a semiconductor chip with 2,000 bits of memory. El recién formado Intel comienza a vender un chip semiconductor con 2000 bits de memoria.
  • USPTO concesión de patentes 3.387.286 de IBM Robert Dennard para una celda DRAM de un transistor. DRAM stands for Dynamic RAM (Random Access Memory) or Dynamic Random Access Memory.

    USPTO concesión de patentes 3.387.286 de IBM Robert Dennard para una celda DRAM de un transistor. DRAM stands for Dynamic RAM (Random Access Memory) or Dynamic Random Access Memory. DRAM significa Dynamic RAM (Random Access Memory) o Memoria de Acceso Aleatorio Dinámico. DRAM will become the standard memory chip for personal computers replacing magnetic core memory. DRAM se convertirá en el chip de memoria estándar para los ordenadores personales de sustituir la memoria de núcleos magnéticos.
  • Intel comienza como diseñadores de chips y producir un chip de memoria RAM de 1 KB,

    Intel comienza como diseñadores de chips y producir un chip de memoria RAM de 1 KB, la memoria más grande todate chip. Intel soon switch to being notable designers of computer microprocessors. Intel pronto pasar a ser diseñadores notables de microprocesadores.
  • Intel lanza el chip de 1103 , el chip DRAM primero la memoria disponible en general.

    Intel lanza el chip de 1103 , el chip DRAM primero la memoria disponible en general.
    Intel lanza el chip de 1103 , el chip DRAM primero la memoria disponible en general.
  • ntel releases the 1101 chip, a 256-bit programmable memory, and the 1701 chip, a 256-byte erasable read-only memory (EROM). Intel lanza el chip 1101,

    Intel releases the 1101 chip, a 256-bit programmable memory, and the 1701 chip, a 256-byte erasable read-only memory (EROM). Intel lanza el chip 1101, una memoria de 256-bit programables, y el chip 1701, un 256-byte borrable memoria de sólo lectura (EROM).
  • "sistema de memoria de una computadora multichip digital".

    Intel receives a US patent for a "memory system for a multichip digital computer". Intel recibe una patente de EE.UU. de un "sistema de memoria de una computadora multichip digital".
  • Personal consumer computer Altair released, it uses Intel's 8-bit 8080 processor and includes 1 KB of memory.

    Personal consumer computer Altair released, it uses Intel's 8-bit 8080 processor and includes 1 KB of memory. Personal de consumo equipo Altair en libertad, que utiliza 8 bits Intel 8080 de procesador e incluye 1 KB de memoria. Later in the same year, Bob Marsh manufacturers the first Processor Technology's 4 kB memory boards for the Altair. Más tarde, en el mismo año, Bob Marsh fabricantes de la tecnología de procesador primero de 4 tarjetas de memoria kB para el Altair.
  • Apple Computers releases the Macintosh personal compututer. Apple Computers lanza el compututer personales Macintosh.

    Apple Computers releases the Macintosh personal compututer. Apple Computers lanza el compututer personales Macintosh. It is the first computer that came with 128KB of memory. Es la primera computadora que viene con 128 KB de memoria. The one-megabyte memory chip is developed. El chip de memoria de un megabyte se desarrolla.
  • FPM-RAM

    FPM-RAM
    Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos las más rápidas y 70
    nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades
    de bus de 66Mhz (procesadores a 100, 133, 166 y 200Mhz) es necesario instalar memorias de 60
    nanosegundos para no generar estados de espera de la cpu.
    La FPMRAM se basa en que se supone que el siguiente acceso a un dato de memoria va a ser en
    la misma fila que el anterior, con lo que se ahorra tiempo en ese caso. El acc
  • ED O -RAM

    ED O -RAM
    Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos). Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168. Velocidad de transferencia: 320 MB/s
  • EDO RAM

    EDO RAM
    Es una evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una
    vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo
    ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. En la actualidad es
    soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM, la limitación de la BEDO
    RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz.
  • SDR SDRAM

    SDR SDRAM
    Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que este
    tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de
    reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología
    InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior. Cuenta con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que s
  • PC66

    PC66
    PC66 Fecha de introducción:1 9 9 7 Velocidad de transferencia La velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporización de 15 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 533 MB/s.
  • PC100

    PC100
    PC100 Fecha de introducción:1 9 9 8 Velocidad de transferencia La velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MB/s.
  • PC133

    PC133
    PC133 Fecha de introducción:1 9 9 9 Velocidad de transferencia La velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporización de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 1066 MB/s.
  • D DR-S DRAM

    D DR-S DRAM
    D DR-S DRAM Descripción de la tecnología Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB. No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas frecuencias de reloj, por
    ejemplo, el PC-1600 (diseñado para correr a 100 MHz) y el PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz). El
    n
  • PC1600 -D D R200

    PC1600 -D D R200
    PC1600 -D D R200 Fecha de introducción:2 0 0 1 Velocidad de transferencia 1600 MB/s
  • C2100 -D D R266

    C2100 -D D R266
    PC2100 -D D R266 Fecha de introducción:2 0 0 2 Velocidad de transferencia 2133 MB/s
  • PC2100 -D D R266

    PC2100 -D D R266
    PC2100 -D D R266 Fecha de introducción:A mediados del 2003 Velocidad de transferenciaTecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 333 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 2.7 GB/s.
  • PC3200 ±D D R400

    PC3200 ±D D R400
    PC3200 ±D D R400 Fecha de introducción: Junio del 2004 Velocidad de transferencia Esta tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 400 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 3.2 GB/s
  • Period: to

    PC5300DDR667,PC5300DDR667,DDR3800 ,

    PC5300 DDR667 Fecha de introducción: A finales del 2004 Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 667 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 5.3 GB/s.
    PC6400DR800 Fecha de introducción: A finales del 2004 Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4
  • PC4200 ±D D R533

    PC4200 ±D D R533
    PC4200 ±D D R533 Fecha de introducción: A mediados del 2004 Velocidad de transferencia Tecnologías de memoria RAM que trabajan por encima de los 533MHz de frecuencia ya son consideradas DDR2 y estas tienen 240 pines. Trabaja a una
    frecuencia de 533 MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia
    máxima de 4.2 GB/s.
  • Period: to

    DDR3 1066 ,DDR3 1333 ,DDR31600,DDR31800 ,

  • DDR3

    DDR3
  • D DR3 ± 2000

    D DR3 ± 2000
    D DR3 ± 2000 Fecha de introducción: Marzo de 2008 (pruebas) Velocidad de transferencia 16.0 GB/s @ 2000 MHz