Evolucion memoria ram

  • FPM-RAM

    FPM-RAM
    Fast Page Mode RAM(FPM-RAM)fue inspirado en técnicas como el Burst Mode usado en procesadores como el Intel 486.Se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas Se fabricaban con dos tiempos de acceso de 70 ó 60 nano segundos
  • EDO RAM

    EDO RAM
    Extended Data Output RAM (EDO-RAM) fue lanzada al mercado en 1994 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre FPM, su antecesora. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búfer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.
  • BEDO RAM

    BEDO RAM
    Es una evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM, la limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz.
  • SDR SDRAM

    SDR SDRAM
    Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple.La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior. Cuenta con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns
  • DDR-SDRAM

    DDR-SDRAM
    Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB. No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas frecuencias de reloj, por ejemplo, el PC-1600 (diseñado para correr a 100 MHz) y el PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz)
  • PC2100 – DDR266

    Tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 333 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 2.7 GB/s.
  • Evolucion ram video

  • DDR3

    DDR3
    Se preveía, que la tecnología DDR3 pudiera ser dos veces más rápida que la DDR2 y el alto ancho de banda que prometía ofrecer DDR3 era la mejor opción para la combinación de un sistema con procesadores dual-core, quad-core y hexa-Core (2, 4 y 6 núcleos por microprocesador). Las tensiones más bajas del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2) ofrecen una solución térmica y energética más eficientes.