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DRAM
De acceso aleatorio dinámica (DRAM) es un tipo de memoria de acceso aleatorio que almacena cada bit de datos en un condensador separado dentro de un circuito integrado. El condensador puede ser cargada o descargada; estos dos estados pueden representar los dos valores de un bit, llamado convencionalmente 0 y 1. -
ESDRAM
Nuestra nueva línea de altas prestaciones SDRAM DIMM de productos amplía nuestra EDRAM, ESDRAM y de negocios HSDRAM módulo que ha servido de comunicación, DSP, y los mercados de discos RAID desde 1992 ", dijo David Bondurant, vicepresidente de marketing de sistemas de memoria mejorada. -
SDRAM
Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) es una memoria dinámica de acceso aleatorio DRAM que tiene una interfaz síncrona. Tradicionalmente, la memoria dinámica de acceso aleatorio DRAM tiene una interfaz asíncrona, lo que significa que el cambio de estado de la memoria tarda un cierto tiempo, dado por las características de la memoria, desde que cambian sus entradas. -
EDO RAM
Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura. -
SRAM
Estática de acceso aleatorio (SRAM) es un tipo de memoria de semiconductores, donde la palabra static indica que, a diferencia de la RAM dinámica (DRAM), no es necesario que se actualizan periódicamente, como SRAM utiliza un circuito biestable de cierre para almacenar cada bit. SRAM presenta remanencia de datos [1], pero sigue siendo inestable en el sentido convencional de que los datos se pierde finalmente cuando la memoria no está encendido. -
RDRAM
Direct Rambus DRAM o DRDRAM (algunas veces llamados Rambus DRAM o RDRAM) es un tipo de memoria RAM dinámica sincrónica. RDRAM fue desarrollada por Rambus Inc., A mediados de la década de 1990 como un reemplazo para el entonces prevalente arquitectura de memoria DIMM SDRAM. -
PC 100
PC100 es un estándar para acceder a la memoria interna extraíble equipo al azar, que se define por la JEDEC. PC100 se refiere al funcionamiento de DRAM síncrona a una frecuencia de reloj de 100 MHz, en un bus de 64 bits de ancho, con un voltaje de 3,3 V. PC 100 está disponible en 168-pin DIMM y 144 pines SO-DIMM de factores de forma. PC100 es compatible con PC66 y fue reemplazado por el estándar PC133. -
BEDO RAM
(Salida de Información Mejorada RAM) Una memoria RAM dinámica anterior chip que mejora el rendimiento de Fast Page Mode (FPM) de memoria en la década de 1990. Como un subconjunto de Fast Page Mode, podría ser sustituido por el modo de fichas de página. Sin embargo, si el controlador de memoria no está diseñado para los chips más rápidos EDO, el rendimiento sigue siendo el mismo que el modo de página rápida.
