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Memoria ROM
Read Onley Memory. estamemoria puede ser utilizada en sistemas BIOS. se programa en la fabricación o antes de ser utilizada -
EPROM
Ereaseble programable read only memory. se borraba con luz ultravioleta, duraba aproximadamente 20 min. se programaba por inyección de electrioes. se accedia en 200 ns -
EEPROM
Electrical Ereaseble programable Read Only Memory. producida por george Perlegos, de Intel. utiliza Tunneling para borrar y Hot Electron Injection para programar. se tarda aproximadamente 1s para borrar y borra todo el chip o un sector. se tarda en escribir aproximadamente 100 microsegundos, su tiempo de acceso de lectura es de 200 nano segundos. -
memoria Flash
creada por fujio Masuoka de toshiba en 1980. se utiliza tunneling para borrarla y programarla. tiene una vida util de 10,000 ciclos. su tiempo de borrado es de 5 milisegundos y puede borrar un Byte a la vez. su tiempo de escritura es de 5 milisegundos. tiene un tiempo de acceso de 35 nano segundos
