Evolucion de la memoria ROM

Timeline created by Edwin Cor.
  • Primer chip semiconductor ROM aparece

    Primer chip semiconductor ROM aparece
    La informacion es grabada permanente mente en los chips ROM (Read Only Memory, memoria de solo lectura) durante el proceso de manufactura. Esta memoria nunca se cambiaba durante el uso del aparato electronico. Esta podia programarse por medio de proceso de mascara, para economizar tiempo y dinero.
  • PROM fue inventada

    PROM fue inventada
    La memoria PROM (Programable Read Only Memory, memoria programable de solo lectura) fue inventada con fines militares para la fuerza aerea de Estados Unidos. Esta memoria se programa despues de la manufactura, este tipo de memoria posee una cantidad de fusibles y al momento de programar se queman estos fusibles, haciendo que solo se pueda programar una vez.
  • Memoria EPROM aparece

    Memoria EPROM aparece
    La memoria EPROM (Ersable Programable ROM, Memoria de solo lectura borrable y programable) fue inventada por Dov Frohman. La memoria EPROM es un arreglo de transistores de compuertas flotantes, para se programada un dispositivo envia voltajes mas altos de los convencionales. Para eliminar los datos la ventana de la EPROM debe ser expuuesta a una luz ultra violeta.
  • Memoria EEPROM aparece

    Memoria EEPROM aparece
    La memoria EEPROM (Electricaly Erasable Programable ROM, Memoria de solo lectura electronicamente borrable y programable) fue creada por Eli Harari. Es una memoria que puede ser programada por medio de pulsos de corriente, incluso cuando esta ya esta en el circuito. Este tipo de memoria al ser borrada mueve los electrones a la compuerta flotante, esto se logra por medios de pulsos de corriente.
  • Memoria FLASH aparece

    Memoria FLASH aparece
    La memoria FLASH fue inventada en 1980 por el Dr. Fujio Masuoka, trabajando para Toshiba. Este tipo de memoria se basa en la memoria EEPROM. Existen dos tipos de memoria flash, las que se basan en compuertas NOR y las que se basan en compuertas NAND. Para programar este tipo de memoria se envia un voltaje mayor a los 5V haciendo que los electrones "salten" a las compuertas flotantes. Para el borrado se le aplica un voltaje con una polaridad opuesta para que los electrones que se encontraban en .