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Memoria de Reles
Las primeras computadoras usaban relés y líneas de retardo de varios tipos construidas para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio. El relé o relevador es un dispositivo electromecánico. Funciona como un interruptor controlado por un circuito eléctrico en el que, por medio de una bobina y un electroimán, se acciona un juego de uno o varios contactos que permiten abrir o cerrar otros circuitos eléctricos independientes. Fue inventado por Joseph Henry en 1835. -
Memoria de Lineas de Retardo
Las primeras computadoras usaban relés y líneas de retardo de varios tipos construidas para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio. Una memoria de línea de retardo es un dispositivo capaz de almacenar datos aprovechando el tiempo que necesita una señal para propagarse por un medio físico. Un ejemplo típico son las memorias de línea de retardo de mercurio. -
Memoria de núcleo magnético
La memoria de toros o memoria de núcleos magnéticos, fue una forma de memoria principal de los computadores, hasta comienzos de 1970. La función de esta memoria era similar a la que realiza la memoria RAM en la actualidad: es el espacio de trabajo, para la CPU, donde se graban los resultados inmediatos de las operaciones que se van realizando. -
Memoria DRAM de 64 bits
Inventada a finales de los 60 y una de las memorias más usadas en la actualidad, DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de tecnología de memoria RAM. La memoria dinámica de acceso aleatorio se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco. -
Memoria DRAM de 1024 bytes
Para 1971, Intel logró posicionar una memoria tipo DRAM como un dispositivo de buenas prestaciones y relativo bajo precio copando los mercados de la memoria de núcleos y relegándola al pasado. Una memoria DRAM de 1024 bytes, referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo magnético. -
Memoria MOSTEK de 4096 bytes
En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la direcciones de memoria. MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4096 bytes en un empaque de 16 pines, mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. El esquema de direccionamiento se convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad que logró esta referencia de DRAM. -
Memoria SIPP (Paquete de Pines en Linea Simple)
SIPP es el acrónimo inglés de Single In-line Pin Package (Paquete de Pines en Línea Simple) y consiste en un circuito impreso (también llamado módulo) en el que se montan varios chips de memoria RAM, con una disposición de pines correlativa (de ahí su nombre). Tiene un total de 30 pines a lo largo del borde del circuito, que encajan con las ranuras o bancos de conexión de memoria de la placa base del ordenador, y proporciona 8 bits por módulo. -
Memoria SIMM (Módulos de Memoria en Linea)
SIMM (siglas de Single In-line Memory Module), Es un formato para módulos de memoria RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre las que se montan los integrados de memoria DRAM. Estos módulos se insertan en zócalos sobre la placa base. Los contactos en ambas caras están interconectados. Apple para sus Mac adopta (el Macintosh IIfx con SIMMs no estándar de 64 pines. -
FPM-RAM (Fast Page Mode RAM)
En 1990 FPM-RAM (Fast Page Mode RAM) Inspirado en técnicas como el "Burst Mode" usado en procesadores como el Intel 486, se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas. -
Memoria Grafica de Acceso Aleatorio (VRAM)
Memoria gráfica de acceso aleatorio (Video Random Access Memory) es un tipo de memoria RAM que utiliza el controlador gráfico para poder manejar toda la información visual que le manda la CPU del sistema. La principal característica de esta clase de memoria es que es accesible de forma simultánea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe información en ella, mientras se leen los datos que serán visualizados en elmonitor en cada momento. -
EDO-RAM (Extended Data Output RAM)
En 1995 es lanzada la EDO-RAM (Extended Data Output RAM) y con tiempos de accesos de 40 o 30 nanosegundos suponía una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura. Muy común en los Pentium MMX y AMD K6. -
Memoria RIMM (Módulo de Memoria en Línea Rambus)
A mediados de los 90 La RDRAM se presenta en módulos RIMM de 184 contactos. RIMM, acrónimo de Rambus In-line Memory Module(Módulo de Memoria en Línea Rambus), designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. con el fin de introducir un módulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los módulos de memoria SDRAM de 100 MHz y 133 MHz disponibles en aquellos años. Fue utilizada en los Pentium 4 . -
Memoria DIMM - SDR SDRAM síncrona
En 1997 la Memoria SDR SDRAM síncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos y en módulos SO-DIMM de 72, 100, 144, o 200 contactos en el caso de los ordenadores portátiles. Fue utilizada en los Pentium II y en los Pentium III , así como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron. -
BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)
En 1997 fue presentada la BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM), fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado.direccionamiento MOSTEK, agregan funcio -
DDR-SDRAM
Permiten transferir de datos por dos canales simultáneamente en un ciclo de reloj. Soportan una capacidad máxima de 1 GB. De esta memoria hay varias versiones que usan la misma arquitectura, variando la frecuencia a la que pueden funcionar, dando mayor rendimiento.
PC1600 o DDR 200: funciona a un máx de 200 MHz.
PC2100 o DDR 266: funciona a un máx de 266,6 MHz.
PC2700 o DDR 333: funciona a un máx de 333,3 MHz.
PC3200 o DDR 400: funciona a un máx de 400 MHz. -
DDR2-SDRAM
Al igual que la DDR, fue mejorándose durante unos años, alcanzando más del doble de la frecuencia inicial. Velocidad máxima 6'4 Gb/s
PC2-4200 o DDR2-533: funciona a un máx de 533,3 MHz.
PC2-5300 o DDR2-667: funciona a un máx de 666,6 MHz.
PC2-6400 o DDR2-800: funciona a un máx de 800 MHz.
PC2-8600 o DDR2-1066: funciona a un máx de 1066,6 MHz.
PC2-9000 o DDR2-1200: funciona a un máx de 1200 MHz. -
DDR3-SDRAM
Con grandes mejoras en rendimiento y consumo, la evolución continuó en las frecuencias hasta 2013... siendo la última de 2666, 6 MHz.
PC3-6400 o DDR3-800: funciona a un máx de 800 MHz.
PC3-8500 o DDR3-1066: funciona a un máx de 1066,6 MHz.
PC3-10600 o DDR3-1333: funciona a un máx de 1333,3 MHz.
PC3-12800 o DDR3-1600: funciona a un máx de 1600 MHz.
PC3-14900 o DDR3-1866: funciona a un máx de 1866,6 MHz.
PC3-17000 o DDR3-2133: funciona a un máx de 2133,3 MHz. -
DDR4-SDRAM
Practicamente nueva, en breve se quieren implantar también en móviles. Actualmente, los primeros lanzamientos operan a una frecuencia mucho mayor que sus antecesoras DDR3. En breve comenzaremos a ver su evolución.
