Ram

Memoria Interna de un computador

  • Válvulas Electronicas

    Válvulas Electronicas
    El computador ENIAC, tiene como punto de memoria la utilización de válvulas electrónicas de vacío para la construcción de bi-estables.
  • Memoria Operativa de ferrita

    Memoria Operativa de ferrita
    Usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los años 60 y principios de los 70 Esa memoria requería que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material ferromagnético de algunos milímetros de diámetro, lo que resultaba en dispositivos con una capacidad de memoria muy pequeña. Antes que eso, las computadoras usaban relés y líneas de retardo de varios tipos construidas para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio.
  • Memoria DRAM

    Memoria DRAM
    Basadas en semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente año se presentó una memoria DRAM de 1024 bytes,referencia 1103 que se constituyó en un hito,ya que fue la primera en ser comercializada con éxito,lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo magnético. En comparación con los integrados de memoria DRAM actuales,la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenía un desempeño mayor que la memoria de núcleos.
  • Memoria SDRAM

    Memoria SDRAM
    Usada desde principios del 1970,en las SDRAM el cambio de estado tiene lugar en un momento señalado por una señal de reloj y, por lo tanto, está sincronizada con el bus de sistema del ordenador.El reloj también permite controlar una máquina de estados finitos interna que controla la función de "pipeline" de las instrucciones de entrada. Esto permite que el chip tenga un patrón de operación más complejo que la DRAM asíncrona, que no tiene una interfaz de sincronización.
  • DDR y DDR2

    DDR y DDR2
    De la familias de las SDRAM, son las dos primeras versiones de tarjetas internas producidas en este tipo de tenlogia.
  • Memoria que aparece con el procesador Intel 80286

    Duro muy poco en el tiempo la SIPP, acrónimo de Single in line pin package. En esta te encuentras con una placa con unos circuitos integrados acoplados que se inserta sobre la placa base gracias a unos conectores parecidos a un peine. Pronto se vio que si no tenias cuidado se rompían y se decidió que debía de cambiarse.
  • Memoria con encapzulado SIMM

    Acrónimo de Single In line memory module, donde el conector en forma de peine se cambia por otro más parecido al actual y por lo tanto más resistente.
    30 pines. Ofrece acceso a ocho bits de datos al mismo tiempo. La tecnología usada se denomina FPM.Sigue siendo memoria DRAM.
    72 pines. Ofrece 32 bits de datos. Primero se uso FPM y después EDO DRAM Memory. Esta última es una mejora de la anterior
  • FPM RAM

    FPM RAM
    A finales de los 80, fue inspirado en técnicas como el Burst Mode usado en procesadores como el Intel 486.3 Se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas.
  • Las SDRAM pasan a ser mas importantes

    Mejora la eficiencia de acceso a los bancos de memoria gracias al uso de sincronismo lo que a la larga da mayor velocidad.
    Desde este punto hasta la actualiadad cada versión de las SDRAM (DDR,DDR2,DDR3 y DDR4) duplica la capacidad de transmitir información a comparación de su versión anterior.
  • EDO RAM

    EDO RAM
    = fue lanzada al mercado en 1994 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre FPM, su antecesora. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búfer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.
  • BEDO RAM

    competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50 % mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como señales de reloj.
  • DDR3

    DDR3
    De la familia de las SDRAM, duplica en capacidad de transmitir informacion a comparacion de la DDR2. Es capaz de escribir hasta ocho palabras. En cada una de las distintas versiones de DDR se cambia la conexión para impedir que acabemos insertando la que no es. Como ocurrió anteriormente se empeora la latencia o tiempo de espera hasta que llega el primer dato.
  • DDR4

    DDR4
    De la familia de las SDRAM, promete sobre todo una reducción en consumo. En este caso no se dobla el ancho de banda pero se espera que al funcionar a frecuencias más altas acaben siendo mucho más rápidas que las DDR3.