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Creada y desarrollada en 1949 y 1952
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Referencia de 4 kb en un empaque de 16 pines.
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Elimino los pines metalicos y dejó una area de cobre en uno de los bordes impresos similares a los de la tarjeta de expansion.
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Implantó un modo de direccionamiento en el que el controlador de memoria envia una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin la necesidad de generar todas las direcciones.
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Tiempos de acceso de 30 o 40 NanoSegundos. Es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna mientras lee la info. de la columna anterior.
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Evolucion de EDO-RAM y competidora de SDRAM. Nunca salió al mercado dado que Intel y otros fabricantes se decantaron por esquemas de memoria sincrónicos.
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Se usa prinicipalmente como modúlos de memorira principal RAM de ordenadores y otros dispositivos.
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Velocidad de transferencia 1600 MB/s
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Velocidad de transferencia 2133 MB/s
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Velocidad de transferencia: Tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 333 MHz con un bus de 166 MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 2.7 GB/s.
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Velocidad de transferencia: Esta tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 400 MHz con un bus de 200 MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 3.2 GB/s.
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Velocidad de transferencia: Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 600 MHz con un bus de 150 MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.8 GB/s.
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Velocidad de transferencia: Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 667 MHz con un bus de 160 MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 5.3 GB/s.
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Velocidad de transferencia: Tecnología de memoria RAM DDR3 que trabaja a una frecuencia de 1066 MHz con un bus de 133 MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 8.53 GB/s.
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Tambien llamadas Rambus, se caracterizan por usar dos canales en vez de uno con 184 pines y un bus de 16-bit. Se les conoció como modulo RIMM. Descontinuadas por problemas de paridad y otros inconvenientes que las hacian muy costosas.
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Canales de 184 pines y un bus de 16-bit.
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Tipo memoria DDR4
Unbuffered
Tipo módulo DIMM
Non-ECC
Capacidad 16GB (8GBx2)
Dual Channel
Pin 288
Velocidad de testeo 2400MHz (PC4-19200)
Latencia Testeada 15-15-15-35
Voltage 1.2V -
Difusor térmico Vengeance LPX
Configuración de la memoria Dual / Quad Channel
Series Memoria Vengeance
Tipo de la memoria DDR4
Velocidad Probado 3000 MHz
Tensión Probado 1.35V -
Tipo de la memoria DDR4
Capacidad 16GB (2x8GB)
Multi-Channel Kit de doble canal
Velocidad Probada 3200MHz
Latencia Probada 16-18-18-38
Voltaje Probada 1.35v
Dimensiones 16 x 13,7 x 1.4 cm
Peso 186g -
Tamaño de la memoria: Kit de 16GB (2 x 8GB)
Latencia probada: 16-18-18-36
Voltaje probado: 1.35V
Velocidad probada: 3200MHz
Esparcidor de calor: aluminio anodizado
Formato de memoria del paquete: DIMM
Perfil de rendimiento: XMP 2.0
Pin de memoria del paquete: 288
