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Tubo de Williams
Fue usado por primera vez. -
Primer Chip de Memoria RAM
Primera patente de Dynamic Random-Access Memory, fue registrada por Robert Dennard, ingeniero de IBM. El chip original era una célula de memoria que consistía en un transistor y condensador que estaban emparejados. El condensador almacena un sólo bit de datos binarios y una carga eléctrica; el transistor lee y refresca la carga miles de veces por segundo. -
SRAM o Memoria RAM Estática
Lanzada por Intel Intel: el 3101 Schottky TTL bipolar 64-bit. Se trataba de un chip SRAM (Static Random Access Memory). Requiere energía constante para contener información. Es más rápida que la DRAM, pero mucho más cara y contiene menos información por unidad de volumen. -
Primera DRAM
Lanzada por Intel. La DRAM (Dynamic Random Access Memory) es dinámica, al contrario que la SRAM. Las células que guardan la información son refrescadas con nueva electricidad cada «X» milisegundos para que la memoria RAM mantenga su información. -
Módulo SIMM
Creado por Wang Laboratories, este módulo era una placa con circuito impreso en la PCB donde se montaban las memorias DRAM. El módulo se insertaba en un slot de la placa base. Los pines o contactos de ambas caras estaban interconectados, cosa que cambia en los módulos DIMM. -
SDRAM y el SDR
Introducidos por Samsung. Tipo de memoria que se sincronizaba a ella misma con la frecuencia del sistema. Esta sincronización permitía a la memoria funcionar a velocidades más altas que los otros tipos de memoria. Esto suponía soportar una frecuencia de hasta 133 MHz. -
El DDR
El DDR utiliza el límite máximo y mínimo del reloj del sistema, doblando la velocidad de la memoria. Fue una tecnología que se utilizaba en memoria RAM, como en tarjetas gráficas. -
La RDRAM y el módulo RIMM
Lanzada por Rambus; ofrecía un ancho de banda de memoria (teórica) de 1.6 GB/s. Era una memoria mucho más cara que la SDRAM, pero Intel la vio con muy buenos ojos porque ese ancho de banda era muy atractivo. -
La eDRAM
Sony y Toshiba se aliaron para producir una memoria RAM integrada en la misma die del MCM. El coste por bit era mucho mayor que los chips DRAM, pero ofrecía grandes beneficios de rendimiento. Integrar la memoria en el ASIC o procesador permitía unos buses más anchos y unas operaciones con más velocidad -
Memoria DDR2
Samsung crea la memoria DDR2, era una memoria SDRAM que venía en módulos DIMM cuya evolución tenía que ver con la frecuencia y el voltaje: menos energía y una velocidad más alta. -
Memoria DDR2
En 2003, vimos memorias DDR2 de hasta 1 GB de capacidad. -
DDR2 DE 2 GB
En 2004, Samsung sacaría al mercado una memoria DDR2 de 2 GB de capacidad por módulo, lo que encaminaba una era donde este componente tendría un gran impacto. -
RAM DDR3
RAM DDR3 de Samsung. Hasta su llegada al mercado, la industria de los videojuegos para PC empezaba a alarmar de las necesidades de una mejora en las memorias RAM. -
DDR3
Samsung comercializa el DDR3. La capacidad partiría de los 512 MB. Conforme se iban sucediendo las distintas SDRAM, la latencia aumentaba al mismo ritmo que las frecuencias. La RAM DDR3 trajo una evolución importantísima: módulos de 4 GB, 8 GB y 16 GB por unidad. No sólo eso, se reducía el voltaje hasta 1.35V y se aumentaba la frecuencia hasta llegar a los 2113 MHz. -
DDR4
Samsung lanza DDR4. Fue desarrollado por Hynix desde 2011, pero Samsung fue quien las lanzó al mercado en 2014. De hecho, Samsung lanza un módulo de 2 GB DDR4 con una frecuencia de 2.133 MHz para testarlo. -
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DDR5
Samsung y Micron empiezan a fabricar DDR5.especificaciones técnicas, ciertas fuentes afirman que las frecuencias partirán desde los 3200 MHz. Según SK Hynix, la velocidad máxima de las memorias DDR5 serán 8400 MHz. Este fabricante anunció que la capacidad por módulo será de 8 GB como mínimo, hasta 64 GB. También, mejoró el voltaje: 1.1V. -
DDR5
32 o 64 GB de RAM,