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ROM
Memoria ROM Read only memory
Estas memorias solo eran programadas una vez y no se modificaban
Es no volátil -
PROM
Prom
Memoria de sólo lectura programable.
Permitía que se modificara solo una vez a través de pulsos de alto voltaje.
Se programaba por medio de destrucción de unión y fusibles. -
EPROM
Erasable and Programmable Read-only Memory.
Inventada por el Ingeniero Dov Frohman en Intel.
Esta memoria se encuantra formada por celdas FAMOS.
La información se guarda por medio de que la carga electroestática se queda atrapada la celda.
Se puede borrar la información por medio de la aplicación de rayos ultravioletas.
La memoria puede almacenar la información por aproximadamente 10 años. -
EEPROM
Read Only Memory. Inventada por George Perlegos de Intel.
En ventaja de esta memoria es que permite la reprogramación de la misma y que las palabras se pueden borrar de manera individual.
La vida útil es de aproximadamente 10 años.
Programación similar a EPROM y el metodo de formatear, se realiza por medio del principio fisico de tunneling. -
Memoria Flash
Inventada por Fujio Masuoka en Toshiba.
La vida útil de esta memoria es de aproximadamente 10,000 ciclos, esto se debe a su forma de manejar los datos guardados.
Se programa y se borra información promedio del efecto físico de tunneling.
ventajas son de que el tiempo para borra información es significativamente menor a las demás memorias de este tipo, además que se puede borrar información por Bytes y también el tiempo de acceso a la información es mucho menor y con