Evolucion de la memoria ram

  • primer memoria ram

    primer memoria ram
    la primer memoria ram fue la memoria de nucleo magnetico desarrollada entre los años 1949 y 1952
  • Memoria PROM

    Memoria PROM
    Una PROM común se encuentra con todos los bits en valor 1 como valor por defecto de las fábricas; el quemado de cada fusible, cambia el valor del correspondiente bit a 0. La programación se realiza aplicando pulsos de altos voltajes que no se encuentran durante operaciones normales (12 a 21 voltios).
  • Primeras memorias ram basadas en semiconductores de silicio

    Primeras memorias ram basadas en semiconductores de silicio
    fue creada por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria
  • Memoria SRAM (Memoria estatica de acceso aleatorio

    Memoria SRAM (Memoria estatica de acceso aleatorio
    es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Sin embargo, sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica.
    Fecha de creacion: unknow
  • Memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory)

    Memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory)
    es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco.
  • Memoria EPROM

    Memoria EPROM
    Las memorias EPROM se programan mediante un dispositivo electrónico, como el Cromemco Bytesaver, que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0.
  • MK4096

    MK4096
    MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4 Kb en un empaque de 16 pines, mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. El esquema de direccionamiento se convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad que logró esta referencia de DRAM
  • Memoria Flash

    Memoria Flash
    permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM primigenia, que sólo permitía actuar sobre una única celda de memoria en cada operación de programación. Se trata de la tecnología empleada en los dispositivos denominados memoria USB.
  • Memoria ROM

    Memoria ROM
    inventada por Toshiba a mediados de los 80, y comercializada a principio de los 90s, es un tipo de EEPROM que hace un uso muy eficiente del chip y puede ser borrada y reprogramada muchas veces sin daño.