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Memoria temprana basada en tubos de vacío.
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Memoria de núcleos magnéticos
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Introducción de celdas de condensador y transistores.
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Mejoras en el acceso a los datos y la velocidad.
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Sincronización con el reloj del sistema.
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Doble tasa de transferencia de datos por ciclo.
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Mayor ancho de banda y menor consumo de energía.
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Mayor velocidad de transferencia y eficiencia.
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Mayor densidad, rendimiento y eficiencia.
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Mayor ancho de banda, mayor capacidad y eficiencia.