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Utiliza vidrio calcógeno que puede configurarse en uno de dos estados, cristalino y amorfo por medio del uso de calor.
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Memoria de cambio de fase
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Ferroelectric RAndom Access MEmory
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Las FRAM utilizan el mismo principio fisico que las DRAM pero en cambio estasposeen una capa ferroelectrica en vez de una dialectrica para lograr su no volatidad
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Se almacena infor. por elementos de almacenamiento magenitco. Los elementos están formados por dos discos ferromagnéticos, cada uno de los cuales puede mantener un campo magnético, separados por una capa de aislante. no de los dos discos se sitúa en un imán permanente con una polaridad dada; el otro variará para adecuarse al de un campo externo
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MAgnetic RAndom Acces Memory
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Se basa en la medición de voltajes en lugar de corrientes, por lo que el tiempo de asentamiento es mejor que la DRAM
