Memorias FRAM, MRAM y Ovonic

Comienzan las OVONIC

Mar 15, 1960

Principios de la OVONIC

Mar 16, 1960

Utiliza vidrio calcógeno que puede configurarse en uno de dos estados, cristalino y amorfo por medio del uso de calor.

Significado de las letras Ovonic

Mar 17, 1960

Memoria de cambio de fase

Significado de las letras FRAM

Mar 17, 1988

Ferroelectric RAndom Access MEmory

Comienzan las FRAM

Dec 15, 1988

Principios fisico'quimicos FRAM

Dec 16, 1988

Las FRAM utilizan el mismo principio fisico que las DRAM pero en cambio estasposeen una capa ferroelectrica en vez de una dialectrica para lograr su no volatidad

Comienzan las MRAM

Mar 15, 1990

Principios fisico quimicos MRAM

Mar 16, 1990

Se almacena infor. por elementos de almacenamiento magenitco. Los elementos están formados por dos discos ferromagnéticos, cada uno de los cuales puede mantener un campo magnético, separados por una capa de aislante. no de los dos discos se sitúa en un imán permanente con una polaridad dada; el otro variará para adecuarse al de un campo externo

Significado MRAM

Mar 17, 1990

MAgnetic RAndom Acces Memory

Rendimiento MRAM

Mar 18, 1990

Se basa en la medición de voltajes en lugar de corrientes, por lo que el tiempo de asentamiento es mejor que la DRAM