MEMORIAS

EPROM

Apr 1, 1971

Erasable and Programmable Read-only Memory
Su memoria se almacenamba por aprox 10 años
Su metodo de borrado era exponerlo a luz UV, es te metodo era lento y tedioso, sin embargo es un proceso bastante peculiar e interesante.
Su tiempo de escritura era <100 us y su tiempo de lectura era de 200 ns.

EEPROM

Apr 1, 1978

Electrically Erasable and Reprogrammable
introducido por INTEL en 1978
Electrically Erasable and Reprogrammable
ahora trabaja con cargas de voltaje para escritura y borrado de infomración.
su tiempo de escritura era <100 us y su tiempo de lectura es de 200ns.
Utiliza tunneling para procso de borrado

Memoria FLASH

Apr 1, 1980

Utiliza un metodo de borrado por bloques desde 1 a hasta 1024 bytes
tiene una cantidad limitada de ciclos de uso.(10,000)
utiliza tunneling para proceso de borrado.
tiene un tiempo de escritura de 5ms y un tiempo de lectura de 35ns.