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John Ambrose Fleming (1848-1945) desarrolló el diodo de vacío, capaz de ser empleado con cierta eficiencia en la detección de emisiones de radio.
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Robert von Lieben y Lee Forest inventan por separado el triodo interponiendo una rejilla entre el cátodo y el ánodo de una válvula electronica observaron que la tensión esta respecto al cátodo modula los electrones del ánodo y el cátodo
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Se aumento la corriente ánodica del triodo de vacio el cual se rellenó con un gas favorecedor de conducción como el neón, xenón, vapor de mercurio y en aplicaciones de alta tensión hidrogenó
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Se construyeron rectificadores de potencia con selenio que llegaban a varios amperios y soportaban una tensión inversa de unos 15v. Comercializados en Alemania por primera vez
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Avance en la corriente y en la tensión manejada por el tiatron. Posee una caída de tensión en conducción en proporción a la tensión ánodo-cátodo por lo que el rendimiento es mucho mejor que en tiatrones
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Primer ordenador aplicado, realizado con 19000 válvulas, 1500 relés y consumía 150kW con un peso de 30 toneladas
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Construido sobre un sustrato de germanio tipo N con con dopado P superficial sobre el que se disponía una punta metálica de contacto. Descubrimiento importante de la unión P-N inversamente polarizada con ganancia de tensión
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Componente con decenas de amperios y voltios en cápsulas metálicas.
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Fue inventado por Leo Esaki. Se consigue dopando los semiconductores mucho mas intensamente que en los diodos normales
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Dispositivo de cuatro capas de silicio y tres uniones P-N capas e bloqueo de tensión en ambos sentidos y de conducción saturada regenerativa en uno de ellos con control a conducción mediante un electrodo de puerta
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Se logro por medio una prueba de un oscilador de desplazamiento de fase y un flip-flop con estructura integrada a partir de una oblea de germanio.
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Tiristor de iniciación a la conducción controlada en dos sentidos. Patentado por William F. Gutzwiller
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Este dispositivo es el mas cercano a un interruptor en estado solido con potencia ideal, posee una combinación de transistor bipolar en su estructura principal y de FET en su región de puerta
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Disponía de 2300 transistores y ejecutaba 60000 operaciones por segundo con una frecuencia de reloj de 108 kHz. Muchos dispositivos de la actualidad serian imposibles sin estos y otros dispositivos para el procesamiento de señales de alto nivel de integración
