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Dispositivo que utiliza las propiedades rectificadoras de un cátodo emisor de electrones y de un ánodo no-emisor de electrones, contenidos en una cámara que contiene vapor de mercurio.
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Es un diodo de vacío que tenía una rejilla de control entre el cátodo y la placa.
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Reemplazaron los rectificadores de tubo de vacío de bajo voltaje en las radios y en los receptores de televisión. Debido a su vida útil corta y la producción de humos tóxicos, fueron sustituidos por los rectificadores de silicio en 1960.
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Fue desarrollado en los laboratorios Bell Telephone Laboratories por Bardeen, Brattain y Schockley. Marcó la primera revolución electrónica para los futuros avances tecnológicos.
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El transistor de unión utilizado actualmente en la mayoría de las aplicaciones había sido desarrollado.
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Invención del tiristor, rectificador controlado de silicio o bien llamado por sus siglas SCR.
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Comienza la segunda revolución electrónica al comercializar el tiristor por la compañía General Electric Company. Hasta 1970 eran utilizados exclusivamente para el control de energía en aplicaciones industriales.
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Ese mismo año se desarrolló el primer circuito integrado transistores en una sola placa.
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A partir de este año se desarrollaron varios tipos de dispositivos semiconductores de potencia: diodos de potencia, tiristores, transistores bipolares de juntura de potencia (BJT), MOSFET de potencia, transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) y transistores de inducción estáticos (SIT).
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El MOSFET de potencia quedó a facilidad de las personas al ser comercializado correctamente.
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Se introdujo el transistor bipolar de puerta aislada. Este dispositivo generalmente es utilizado como interruptor.
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Aparición del primer motor de velocidad variable de A.C.
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Con los avances tecnológicos en el campo de la electrónica de potencia se logró aprovechar la energía solar al convertirla en energía eléctrica.
