-
Dispositivo que utiliza las propiedades rectificadoras de un cátodo emisor de electrones y de un ánodo no-emisor de electrones, contenidos en una cámara que contiene vapor de mercurio.
-
Es un diodo de vacío que tenía una rejilla de control entre el cátodo y la placa.
-
Reemplazaron los rectificadores de tubo de vacío de bajo voltaje en las radios y en los receptores de televisión. Debido a su vida útil corta y la producción de humos tóxicos, fueron sustituidos por los rectificadores de silicio en 1960.
-
Fue desarrollado en los laboratorios Bell Telephone Laboratories por Bardeen, Brattain y Schockley. Marcó la primera revolución electrónica para los futuros avances tecnológicos.
-
El transistor de unión utilizado actualmente en la mayoría de las aplicaciones había sido desarrollado.
-
Invención del tiristor, rectificador controlado de silicio o bien llamado por sus siglas SCR.
-
Comienza la segunda revolución electrónica al comercializar el tiristor por la compañía General Electric Company. Hasta 1970 eran utilizados exclusivamente para el control de energía en aplicaciones industriales.
-
Ese mismo año se desarrolló el primer circuito integrado transistores en una sola placa.
-
A partir de este año se desarrollaron varios tipos de dispositivos semiconductores de potencia: diodos de potencia, tiristores, transistores bipolares de juntura de potencia (BJT), MOSFET de potencia, transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) y transistores de inducción estáticos (SIT).
-
-
El MOSFET de potencia quedó a facilidad de las personas al ser comercializado correctamente.
-
Se introdujo el transistor bipolar de puerta aislada. Este dispositivo generalmente es utilizado como interruptor.
-
Aparición del primer motor de velocidad variable de A.C.
-
Con los avances tecnológicos en el campo de la electrónica de potencia se logró aprovechar la energía solar al convertirla en energía eléctrica.
You are not authorized to access this page.
