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Tarjetas Perforadas
Se emplean tarjetas perforadas como memorias. La dirección de las posiciones quedaba determinada por la posición de ruedas dentadas. Luego se emplearon relés electromagnéticos -
Tubo de Williams
Se empleo el tubo de williams, que tenia una capacidad de 1200 bits y consistía en un tubo de rayos catódicos con memoria -
Lineas de retardo de mercurio
Al comienzo de la década de los 50, se usaron las líneas de retardo de mercurio con 1 Kbit por línea,como memoria -
UNIVAC I
Introdujo en 1951 la primera unidad comercial de banda magnética, que tenia una capacidad de 1,44 Mbit y una velocidad de 100 pulgadas/s. -
Memoria de Ferrita
En 1953, el Mit dispuso de la primera memoria operativa de ferritas, que fue muy popular hasta mediados de los años 70 -
Memoria de tambor
El primer computador comercial que uso Memoria principal al tambor magnético fue el IBM 650 en 1954.Dicho tambor giraba a 12500 r.p.m y tenia una capacidad de 120 Kbits -
Memoria RAM en semiconductores de Silicio
En 1969 fueron lanzadas una de las primerasmemorias RAM basadas en semiconductores desilicio por parte de Intel con el integrado 3101de 64 bits de memoria -
Flash Memory
Este tipo de memoria se utiliza principalmente para almacenamiento, pero actualmente Windows Vista nos la opción de utilizarla también como memoria RAM, a continuación las características:
Fecha de introducción : Fueron inventadas en 1984 (ambos tipos NOR y NAND) por Toshiba y presentadas también en ese año en el IEEE-IEDM, pero fueron introducidas al mercado (las de tipo NOR) en 1988 por Intel. En 1988 Toshiba anunció el tipo NAND en el ISSCC. -
FPM-RAM
parece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos las más rápidas y 70 nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz (procesadores a 100, 133, 166 y 200Mhz) es necesario instalar memorias de 60 nanosegundos para no generar estados de espera de la cpu.
La FPMRAM se basa en que se supone que el siguiente acceso a un dato de memoria va a ser en la misma fila que el anterior, con lo que se ahorra tiempo en ese caso. -
EDO-RAM
Permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos).
Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168.
Velocidad de transferencia: 320 MB/s -
BEDO-RAM
Es una evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM, la limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz. -
PC100
Velocidad de transferencia
La velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MB/s. -
PC133
Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB.
No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas frecuencias de reloj, por ejemplo, el PC-1600 (diseñado para correr a 100 MHz) y el PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz). -
DDR3 – 2000
Velocidad de transferencia
16.0 GB/s @ 2000 MHz
