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Tiempo de vida: 10^13 ciclos
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Significado de las siglas: Ferroelectric Random Access Memory
Tiempo de lectura: 180 ns
Tiempo de escritura: 180 ns
Vida util: Mas de 10^12 ciclos
Tiempo de borrado: No es necesario -
Significado de las siglas: Magnetoresistive Random Access Memory
Tiempo de lectura: 5-40 ns
Tiempo de escritura: 10 ns
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