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HISTORIA DE LAS MEMORIAS C07A

  • Años 30

    Años 30
    Se utilizan las tarjetas perforadas como memorias. La dirección
    de las posiciones quedaba determinada por la posición de ruedas dentadas. Luego se emplearon relés
    electromagnéticos.
  • Las computadoras ENIAC

    Las computadoras ENIAC
    Utilizaba válvulas electrónicas de vacío para construir sus biestables que actuaban como punto de memoria. Además, tenia una ROM de 4 bits construida a base de resistencias.
  • Lineas de retardo-tubo de Williams

    Lineas de retardo-tubo de Williams
    Se usaron las líneas de retardo de mercurio con 1 Kbit por línea,
    como memoria. Igualmente se empleo el tubo de Williams, que tenia una capacidad de 1200 bits y consistía en un tubo de rayos catódicos con memoria.
  • UNIVAC

    UNIVAC
    Introdujo en 1951 la primera unidad comercial de banda magnética, que tenia una capacidad de 1,44 Mbit y una velocidad de 100 pulgadas/s.
  • Memoria Operativa

    Memoria Operativa
    El Mit dispuso de la primera memoria operativa de ferritas, que fue muy popular hasta mediados de los años 70.
  • El primer computador comercial (Tambor Magnético)

    El primer computador comercial (Tambor Magnético)
    Uso memoria principal al tambor magnético fue el IBM 650 en 1954. Dicho tambor giraba a 12500 r.p.m y tenia una capacidad de 120 Kbits.
  • Primer Disco

    Primer Disco
    También, el modelo 350 de IBM en 1956 fue quien utilizo el primer disco con brazo móvil y cabeza flotante. Su capacidad era de 40 Mbits y su tiempo de acceso, de 500 ms.
  • Flash Memory

    Flash Memory
    Fueron inventadas en 1984 (ambos tipos NOR y NAND) por Toshiba y presentadas también en ese año en el IEEE-IEDM, pero fueron introducidas al mercado (las de tipo NOR) en 1988 por Intel. En 1988 Toshiba anunció el tipo NAND en el ISSCC.
  • FPM-RAM

    FPM-RAM
    Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos las más rápidas y 70 nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz (procesadores a 100, 133, 166 y 200Mhz) es necesario instalar memorias de 60 nanosegundos para no generar estados de espera de la cpu.
  • EDO-RAM

    EDO-RAM
    Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos). Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó 50 ns.
  • BEDO-RAM

    BEDO-RAM
    Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. Ofrece tasas de transferencia desde 533 MB/s hasta 1066 MB/s
  • SDR SDRAM(1997-1990)

    SDR SDRAM(1997-1990)
    Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior.
    PC66 en 1997
    PC100 en 1998
    PC133 en 1999
  • RDRAM

    RDRAM
    También llamadas Rambus, se caracterizan por utilizar dos canales en vez de uno con 184 pines y un bus de 16-bit.
    RAMBUS PC600
    Velocidad de transferencia:1.06 GB/s por canal, que hacen en total 2.12 GB/s @ 266MHz.
    RAMBUS PC700
    Velocidad de transferencia:1.42 GB/s por canal, que hacen en total 2.84 GB/s @ 356 MHz
  • ESDRAM

    ESDRAM
    Esta memoria incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos ser resueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de la memoria caché utilizada en los procesadores actuales.
    Velocidad de transferencia de la información: Hasta 1.6 GB/s @ 133MHz y hasta 3.2 GB/s @ 150 MHz
  • DDR-SDRAM (2001-2008)

    DDR-SDRAM (2001-2008)
    Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB.
    PC1600 – DDR200 en 2001
    PC2100 – DDR266 en 2002
    PC3200 – DDR400 en 2004
    PC4200 – DDR533 en 2004
    PC5300 – DDR667 en 2004
    DDR3 – 800 en Junio 2004
    DDR3 – 1066 en Mayo 2007
    DDR3 – 2000 en Marzo 2008