-
La RAM de núcleo magnético
La primera memoria RAM de núcleo magnético fue desarrollada por Jay Forrester y su equipo en el MIT. Esta tecnología utilizaba pequeños anillos de material magnético para almacenar dato -
celda de memoria dinámica
En 1969, William Regitz y sus colegas en Honeywell inventaron una celda de memoria dinámica usando tres transistores y comenzaron a sondear la industria de semiconductores en busca de un fabricante. La recién fundada Corporación Intel aceptó desarrollar y fabricar un chip de 1024 bits diseñado por Joel Karp y William Regitz. La primera versión fue el i1102, pero no llegó a comercializarse. -
i1103
Intel introdujo la primera memoria RAM dinámica (DRAM), que utilizaba condensadores para almacenar datos de forma temporal. Este tipo de memoria resultó ser más barata y eficiente energéticamente que las tecnologías anteriores. -
el Mostek MK4096 DRAM de 4 Kbit diseñado por Robert Proebsting.
La primera DRAM con fila y columna multiplexadas líneas de dirección. Este esquema de direccionamiento utiliza los mismos pines de dirección para recibir la mitad baja y la mitad alta de la dirección de la celda de memoria a la que se hace referencia, cambiando entre las dos mitades en ciclos alternos del autobús. Este fue un avance radical, reduciendo a la mitad el número de líneas de dirección requeridas, lo que le permitió encajar en paquetes con menos pines. -
MK4116
la DRAM Mostek MK4116 de 16 Kbit, introducido en 1976, logró una participación de mercado de DRAM de más del 75% en todo el mundo. -
Wang Laboratories crea el módulo SIMM
El módulo se insertaba en un slot de la placa base. Los pines o contactos de ambas caras estaban interconectados, cosa que cambia en los módulos DIMM. El motivo de la creación del módulo SIMM residía en la necesidad de proteger las placas base, ya que las memorias RAM iban soldadas. Por lo tanto, era muy difícil quitar una memoria RAM de la placa sin causar daños. De este modo, nacieron los módulos SIMM, los cuales permitían la extracción e instalación de manera sencilla. -
Synchronous Dynamic RAM (SDRAM)
El primer SDRAM comercial fue el Samsung KM48SL2000 chip de memoria, que tenía una capacidad de 16 Mbit. Fue fabricado por Samsung Electronics usando un CMOS ( complementario metal – óxido – semiconductor) proceso de fabricación en 1992. -
Single Data Rate Synchronous Dynamic RAM (SDR SDRAM)
conocida como la segunda generación de las SDRAM, se empezó a utilizar en 1993 y sigue a día de hoy. Es una versión que mejora el procesamiento de la información de lectura y escritura. -
nace el DDR
El DDR utiliza el límite máximo y mínimo del reloj del sistema, doblando la velocidad de la memoria. Fue una tecnología que se utilizaba en memoria RAM, como en tarjetas gráficas. El primer módulo que tendría esta memoria RAM tendría un tamaño de 64 MB. en 1996 y 1997 veríamos como Mitsubhishi y Hyundai (SK Hynix hoy) traerían al mercado memorias RAM SDR con un tamaño de 1 GB, las cuales serían las memorias más grandes de la historia en aquella época -
Rambus lanza la RDRAM y el módulo RIMM
El lanzamiento de esta memoria que ofrecía un ancho de banda de memoria (teórica) de 1.6 GB/s. Era una memoria mucho más cara que la SDRAM, pero Intel la vio con muy buenos ojos porque ese ancho de banda era muy atractivo. De este modo, surgieron los módulos RIMM de RDRAM. Básicamente, era una marca creada por Rambus que reensamblaba los módulos DIMM. Estos módulos fueron usados con los Pentium 4 de Intel. -
Sony y Toshiba lanzan la eDRAM
Sony y Toshiba se aliaron para producir una memoria RAM integrada en la misma die del MCM. El coste por bit era mucho mayor que los chips DRAM, pero ofrecía grandes beneficios de rendimiento. Integrar la memoria en el ASIC o procesador permitía unos buses más anchos y unas operaciones con más velocidad. Sin embargo, los costes de producción eran elevados porque requerían más fases de producción que una simple DRAM. -
Samsung crea la memoria DDR2
El DDR2 era una memoria SDRAM que venía en módulos DIMM cuya evolución tenía que ver con la frecuencia y el voltaje: menos energía y una velocidad más alta. Se introdujo al mercado en el segundo trimestre de 2003 a 2 velocidades: 200 MHz y 266 MHz. Inicialmente, eran peores que las DDR porque tenían más latencia. Las primeras memorias fueron fabricadas por Samsung, Hynix y Elpida. En 2003, vimos memorias DDR2 de hasta 1 GB de capacidad. -
Samsung comercializa el DDR3
La capacidad de estas memorias partiría de los 512 MB. Lanzaría la memoria RAM DDR3 la cual sustituía a DDR2 mejorándola en todos los aspectos. Conforme se iban sucediendo las distintas SDRAM, la latencia aumentaba al mismo ritmo que las frecuencias. La RAM DDR3 trajo una evolución importantísima: módulos de 4 GB, 8 GB y 16 GB por unidad. No sólo eso, se reducía el voltaje hasta 1.35V y se aumentaba la frecuencia hasta llegar a los 2113 MHz. -
Samsung lanza DDR4
Fue desarrollado por Hynix desde 2011, pero Samsung fue quien las lanzó al mercado en 2014.. Los avances que trajo este tipo de memoria hablan por sí solos, Desde 2133 MHz hasta 4.800 MHz de frecuencia. Un voltaje desde 1.15V hasta 1.35V. Esta memoria supuso una auténtica revolución en aquel momento, aunque tuviese un precio prohibitivo. sólo se veía en servidores, workstations y configuraciones entusiastas. -
Samsung y Micron empiezan a fabricar DDR5
DDR5, una tecnología que ya ha empezado a fabricarse por parte de Samsung, Micron y SK Hynix. Como no podía ser de otra forma, JEDEC ha cooperado en esta labor. En el caso de Samsung, empezó a fabricar módulos de prueba en 2019, pero será en 2021 cuando empiece a fabricar módulos DDR5 en masa. Por otro lado, Micron tiene varios frentes abiertos, pero ya os informamos de que en 2019 suministró a sus socios (empresas de servidores) algunos módulos DDR5 de prueba.