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Tecnologías de Memoria RAM_ Leidy Chacon

  • DIP (Dual Inline Package)

    DIP (Dual Inline Package)
    Se trata del encapsulado mas antiguo.
    Bloque de dos hieleras de pines, la cantidad de pines depende de cada circuito. Los componentes se pueden solal, o bien se pueden insertar en zocalos, dispuestos a tal efecto.
  • SMT (Surface Mount Technology)

    SMT (Surface Mount Technology)
    Consiste en un método de construcción de circuitos electrónicos en la cual los componentes son soldados directamente en la tarjeta del circuito impreso (PCB) sin la necesidad de hacer agujeros.
    Tienen un diseño mucho más adecuado para circuitos con un alto número de patas en comparación con los DIP.
  • SIPP (Single Inline Pin Package)

    SIPP (Single Inline Pin Package)
    A principios de los 80 se hizo obvio que la instalación de RAM sobre el impreso principal, impedía la miniaturización, entonces se idearon los primeros módulos de memoria como el SIPP, aprovechando las ventajas de la construcción modular.
    Consiste en un circuito impreso en el que se montan varios chips de memoria RAM, con una disposición de pines correlativa. Proporciona 8 bits por modulo.
  • SIMM (Single Inline Memory Module)

    SIMM (Single Inline Memory Module)
    Formato para módulos de memoria RAM que consiste en placas de circuito impreso sobre los que se montan los integrados de la memoria DRAM. Se encuentran placas SIMM de 30 y 72 contactos, ofreciendo las de 72 mejores prestaciones en cuanto a espacio y capacidad que las de 30.
    Los contactos en ambas caras están interconectados, esta es la mayor diferencia con respecto a sus sucesores los DIMM.
  • DIMM (Dual Inline Memory Module)

    DIMM (Dual Inline Memory Module)
    Ocupado en la actualidad en PCs de escritorio.
    Se trata de un pequeño circuito impreso que contiene chips de memoria y se conecta directamente en ranuras de la placa base.
    Al tener conectores físicamente independientes en ambas caras de la tarjeta de memoria, de allí que se les denomina duales.
    Cuentan con un par de muescas en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.
  • SRAM (Static Random Access Memory)

    SRAM (Static Random Access Memory)
    Memoria volátil basada en semiconductores.
    Cada celda utiliza 6 o más transistores para almacenar un bit de información.
    Es capaz de mantener los datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Sin embargo, sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica.
    Mientras los transistores estén alimentados mantienen la información indefinidamente.
  • DRAM: (Dynamic Random Access Memory)

    Memoria volátil basada en semiconductores y condensadores
    Celda compuesta por un transistor y un condensador
    Un solo transistor  celdas de mucho menor tamaño que SRAM
    Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrad
  • ZRAM (Zero Capacitor RAM) y TTRAM (Twin Transistor RAM)

    ZRAM (Zero Capacitor RAM) y TTRAM (Twin Transistor RAM)
    Ocupa un transistor (ZRAM) o dos (TTRAM),
    A diferencia de la DRAM no necesita de un condensador para almacenar los datos
    Usa la capacitancia de las capas semiconductoras del propio transistor para almacenar el bit .
    Prometen lograr mayor densidad que DRAM y velocidades comparables a SRAM