ROM: La evolución de una memoria a través del tiempo.

Se crea la ROM

Mar 18, 1948

La ROM es un tipo de memoria no volátil utilizada en computadoras y otros dispositivos electrónicos; los datos alojados en la ROM no pueden ser modificados (o bien al menos una vez, pero de forma muy lenta), por lo que se utiliza generalmente para alojar firmware.

PROM

Feb 18, 1956

Programmable read-only memory (PROM); tipo de memoria ROM en la cual los settings de cada bit se encuentran bloqueados por un fusible, por lo que los datos alojados dentro de él es permanente y no puede ser modificada.

EPROM

Mar 15, 1971

Erasable programmable read-only memory; tipo de memoria ROM no volátil; una vez programada, esta memoria puede ser borrada (es decir borrar sus datos) al exponerla a luz UV incidente en una abertura situada en la parte superior de la memoria a lo largo de 20 minutos; soportaba capadidades de 256 B hasta 1MB.

EEPROM

Apr 15, 1978

Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory; tipo de memoria ROM no volátil, inventada por George Perlegos; luego de ser programada, sus datos pueden ser borrados a través de pulsos eléctricos (hasta 100000), reduciendo el tiempo de borrado con respecto a la EPROM; sus celdas se encuentran formadas por transistores MOS de estructura SAMOS.

EEPROM FLASH

Mar 18, 1980

Toshiba 1984 (Dr. Fujio Masuoka); desarrollada para la EEPROM; borrado de datos a través de Tunneling (5ms); escritura a 35ns; vida útil de 10000 ciclos.

NOR FLASH

May 18, 1988

Desarrollada por Intel; transistores en paralelo ejecutándo código directamente; tiempo de borrado: 5s; tiempo de vida de 100000 ciclos.

NAND FLASH

Mar 18, 1989

Desarrollada por Toshiba; transistores en serie; tiempo de borrado 4ms; grandes cantidades de almacenamiento; no ejecuta código directo.