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También conocida como memoria de toros o de núcleos de ferrita, hizo su aparición en la década de 1950 desplazando tecnologías anteriores como la memoria de tambor magnético, la memoria de líneas de retardo, el selectrón, el tubo williams, entre otras, pues eran más fiables, más baratas y más rápidas y además necesitaban menos espacio y menos energía eléctrica.
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El lanzamiento de la memoria MK4096 de 4K, con un solo transistor por celda y con direccionamiento multiplexado resultó del trabajo de Robert Proebsting quien observo que en las celdas con un solo transistor, era imposible acceder la información en una posición, enviando al mismo tiempo los datos de fila y columna a la matriz: había que enviar las señales una después de la otra.
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El formato SIMM elimino los pines metalicos y dejando unas areas de cobre en uno de los bordes impresos similares a los de de las tarjeta de expasion tienen la misma distribucion de pines.
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Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseño más comun de chips de RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna.
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La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.
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Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO.
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DRAM son las siglas de la voz inglesa Dynamic Random Access Memory, que significa memoria dinámica de acceso aleatorio (o RAM dinámica), para denominar a un tipo de tecnología de memoria RAM basada en condensadores, los cuales pierden su carga progresivamente, necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto período, revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco.
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Fecha de introducción: 2001. velocidad de trasferencia: 1600 MB/s
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Velocidad de transferencia: 2133 MB/s
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Velocidad de transferencia: Tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 333 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 2.7 GB/s.
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Velocidad de transferencia: Esta tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 400 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 3.2 GB/s.
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Velocidad de transferencia: Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 600 MHz con un bus de 150MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.8 GB/s.
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Velocidad de transferencia: Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 667 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 5.3 GB/s.
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Velocidad de transferencia: Tecnología de memoria RAM DDR3 que trabaja a una frecuencia de 1066MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 8.53 GB/s.
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Tambien llamada Rambus, se caracteriza por utilizar dos canales en vez de uno con 184 pines y un bus de 16-bit. se les conoció como módulos RIMM.
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entrega mayor rendimiento, capacidades DIMM más elevadas, una mejora en la integridad de los datos y ofrece un menor consumo de energía.
Llegando a más de 2 Gbps por pin y con menor consumo de energía que DDR3L, (DDR3 de Bajo Voltaje), DDR4 proporciona aumento en el rendimiento y un ancho de banda de hasta 50%, mientras disminuye el consumo de energía de su entorno de informática en general.
