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Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético, desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores.
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MOSTEK lanzo la referencia MK4096 de 4 Kb en un empaque de 16 pines mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines.
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El formato SIMM elimino los pines metalicos y dejando unas areas de cobre en uno de los bordes impresos similares a los de de las tarjeta de expasion tienen la misma distribucion de pines.
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Inspirado en técnicas como el "Burst Mode" usado en procesadores como el Intel 486, se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas.
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Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.
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Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como señales de reloj.
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DRAM son las siglas de la voz inglesa Dynamic Random Access Memory, que significa memoria dinámica de acceso aleatorio (o RAM dinámica), para denominar a un tipo de tecnología de memoria RAM basada en condensadores, los cuales pierden su carga progresivamente, necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto período, revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco.
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Introducida en 2001.
Velocidad de transferencia: 1600MB/s -
Velocidad de transferencia: 2133MB/s
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Velocidad de transferencia: Tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 333MHz con un bus de 166 MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 2.7GB/s.
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Velocidad de transferencia: Esta tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia 400MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 3.2 GB/s.
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Velocidad de transferencia: Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 600 MHz con un bus de 150MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.8 GB/s.
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Velocidad de transferencia: Tecnología de memoria RAM DDR3 que trabaja a una frecuencia de 1066MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 8.53 GB/s.
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También llamadas Rambus, se caracterizan por utilizar dos canales en lugar de uno con 184 pines y un bus de 16-bit. Se le conoció como módulos RIMM. Descontinuadas por problemas de paridad y otros inconvenientes que las hacían muy costosas.
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Los módulos de memoria DDR4 SDRAM tienen un total de 288 pines DIMM. La velocidad de datos por pin, va de un mínimo de 1,6 Gb hasta un objetivo máximo inicial de 3,2 Gb.
