Historia de la memoria ROM

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  • Invención de la ROM

    Invención de la ROM
    Se crea la primera ROM (Read Only Memory), este chip era grabado una sola vez y luego no era posible modificar la información almacenada en el mismo. Se utilizaba el método “Mask programmed” para grabar la información en estos chips.
  • Nacimiento de la PROM

    Nacimiento de la PROM
    Wen Tsing Chow inventa la memoria PROM (Programmable Read Only Memory), fue inventada especialmente para el ejército de los Estados Unidos. Esta permitía almacenar información una sola vez y podía quedar almacenada si se le quitaba la energía eléctrica. Se programaba con el método “Mask programmed”, poseía fusibles internamente y los cuales eran quemados o no con voltajes de 12 a 20 voltios para representar el 0 y 1 respectivamente.
  • Invención de la EPROM

    Invención de la EPROM
    El ingeniero Dov Frohman inventa la EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory). Memoria del tipo no volátil, estaba formada por celdas FAMOS (Floating Gate Avalanche Injection Metal Oxide Semiconductor). Se programaba con pulsos eléctricos y se borraba a través de luz ultravioleta, el tiempo de borrado es alrededor de 20 minutos y puede almacenar información por más de 10 años. Tenía capacidades de 256 bytes hasta 1 Mbyte.
  • Invención de la EEPROM

    Invención de la EEPROM
    George Perlegos inventa la memoria EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory). Memoria de tipo no volátil, era programada y borrada a través de pulsos eléctricos lo que permitía reducir el tiempo de programado y borrado a diferencia de la EPROM. Las celdas están formadas por transistores MOS y con estructura SAMOS. Tiene un tiempo de borrado y lectura de 1 s y 200 ns respectivamente. Puede ser borrada y reprogramada 100,000 veces.
  • Invención de la memoria EEPROM FLASH

    Invención de la memoria EEPROM FLASH
    Fujio Masuoka inventa la memoria EEPROM Flash. El método de borrado y programado es a través del efecto Tunneling de pulsos eléctricos. Tiene un tiempo de borrado y escritura de 5 ms, un tiempo de lectura de 35ns. Se borra por bloques de 1 a 1,024 bytes y tiene una vida útil de 10,000 ciclos.
  • Memoria NOR

    Memoria NOR
    Intel desarrolla la memoria flash tipo NOR, esta contenía una arquitecutra de transistores en paralelo y una de las ventajas principales era que podía ejecutar el código directamente. Se borra en bloques de 128 Kbytes en un tiempo de 5 s, tiene un tiempo de borrado y escritura de 100,000 ciclos. Una de las desventajas principales era la capacidad pequeña.
  • Memoria flash NAND

    Memoria flash NAND
    Toshiba desarrolla la memoria flash de tipo NAND. Tenía una arquitectura de transistores en serie, se borraba en bloques de 32 Kbytes en 4ms. Un ciclo de borrado y programado de 1,000,000. Una ventaja principal es que puede llegar a tener cantidades grandes de almacenamiento, y una de las desventajas es que no puede ejecutar código directo como la NOR.